定義

高溫反偏老化系統是一種用于半導體功率器件（如二極管、MOSFET、IGBT、肖特基勢壘二極管等）的加速壽命試驗設備與測試系統，其工作原理是在器件處于高溫環境（通常為 125℃ ~ 175℃）和反向偏置電壓（接近或等于其額定擊穿電壓）的雙重應力條件下，持續運行數十至數百小時，以加速暴露器件在長期工作過程中可能出現的漏電流增大、反向擊穿電壓漂移、鈍化層缺陷、金屬-半導體接觸退化等潛在失效機制。

該系統通過施加高溫與高反壓的協同應力，激發器件內部的電化學反應與材料退化過程，從而篩選出早期失效品，驗證器件在惡劣工況下的長期可靠性，廣泛應用于汽車電子、新能源、工業控制、航空航天等領域。

測試服務介紹；

1.老化時間 : 1min ～ 5000h

2.試驗能力：共 16 個區，每個區 40 個通道 老化工位 16×80=1280

3.電壓測試范圍 :0 ～ 2000V

4.漏電流測試范圍 :1μA ～ 50mA

5.直流老化電源 :100V/12A、300V/4A、 600V/2A、1500V/1A